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Typical Electrical Characteristics (continued)
1000
10
8
I D = 3.5A
V DS = 10V
30V
400
Cis s
6
4
40V
200
100
50
C oss
Crs s
2
20
f = 1 MHz
V GS = 0 V
0
0
2
4
6
8
10
12
14
10
0.1
0.3
1
3
10
20
50
30
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
50
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
N)
DS
LIM
100
1m
1 0 m
0m
10
3
1
R
(O
IT
10
s
s
s
us
40
30
SINGLE PULSE
R θ JA =135°C/W
T A = 25°C
T A = 25°C
0.3
0.1
0.03
V GS =10V
SINGLE PULSE
R θ JA = 135°C/W
A
1s
1 0 s
DC
20
10
0.01
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
300
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area .
1
SINGLE PULSE TIME (SEC)
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
0.5
D = 0.5
0.2
0.1
0.2
0.1
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 135 °C/W
0.05
0.02
0.01
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
P(pk)
t 1
t 2
0.005
0.002
0.001
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 /t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
300
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
NDS9945 Rev.B
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